在新能源、智能制造、轨道交通等产业蓬勃发展的背景下,作为功率半导体的核心器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)凭借其高耐压、大电流、低损耗的特性,成为电能转换与控制的”心脏”,广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风电变流器、工业变频器等关键领域。然而,IGBT结构特殊(包含芯片、封装壳体、电极端子、散热基板等部件),生产过程需经历晶圆制造、键合、封装等复杂工序,易产生外观缺陷,如芯片裂纹、键合线脱落、封装胶体气泡、端子变形、散热基板划痕等。这些缺陷不仅会导致IGBT功率损耗增加、可靠性下降,更可能引发设备烧毁甚至安全事故。因此,IGBT外观检测设备成为功率半导体产业链品质管控的关键防线,其检测能力直接决定IGBT产品的使用寿命与应用安全。...
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